Module GD75PIT120C6S transistor IGBT 1200V 75A pour pont triphasé

Composant de puissance GD75PIT120C6S pour onduleur industriel

Le module de puissance GD75PIT120C6S est développé spécifiquement pour les applications de forte puissance nécessitant une gestion rigoureuse de l'électricité triphasée. Ce transistor IGBT de pointe combine la commande simple d'un MOSFET avec la capacité de courant élevée d'un transistor bipolaire, idéal pour la commande de moteurs industriels complexes.

Optimisation des performances de commutation

Grâce à des caractéristiques de commutation optimisées, ce produit réduit le bruit électromagnétique (EMI). Vous résolvez ainsi les problèmes d'interférences avec les capteurs de contrôle environnants sur vos machines automatisées.

Fiche technique du produit

• Référence standard : GD75PIT120C6S
• Technologie interne : IGBT Trench Gate Field Stop
• Courant collecteur max : 75 A
• Tension nominale : 1200 V

Polyvalence d'intégration

Ce module s'adapte aussi bien aux architectures d'énergies renouvelables qu'aux systèmes de transport électrique légers, assurant une conversion de courant continue et fiable sans fluctuations de tension néfastes pour vos cartes de contrôle en aval.