Performance thermique et commutation haute fréquence
Le point fort du transistor à effet de champ MOS IPA70R450P7SXKSA1 réside dans sa vitesse de commutation ultra-rapide. Cette propriété est essentielle pour les architectures modernes de gestion de l'énergie qui fonctionnent à des fréquences élevées, limitant ainsi l'encombrement des bobines et des condensateurs associés.
Une isolation efficace grâce au boîtier TO220-3
La configuration géométrique de ce semi-conducteur permet un couplage mécanique direct sur les structures de refroidissement de vos modules électroniques. Cette conception minimise la résistance thermique entre le silicium et l'extérieur, maintenant le composant sous un seuil critique de température.
Détails des performances
Faible charge de grille pour un pilotage simplifié par microcontrôleur.
Excellente tenue face aux avalanches de tension sur le réseau 700V.
Courant nominal stable de 10A en régime permanent.
Propriété électrique
Mesure
Type
IPA70R450P7SXKSA1
Jonction
Canal N
Tension Limite
700V
Intensité Nominale
10A
Encapsulation
TO220-3
Intégrez ce MOSFET dans vos modules de puissance pour constater une baisse immédiate de la dissipation d'énergie sous forme de chaleur passive.
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